打破日美独占国产ArF光刻胶获得重大突破可用于7nm工艺

2020-05-24 16:02:18  阅读:5050+ 来源:快科技 作者:责任编辑NO。许安怡0216

(原标题:打破日美独占 国产ArF光刻胶取得重大打破:可用于7nm工艺)

作为半导体卡脖子的技能之一,很多人只知道光刻机,却不知道光刻胶的重要性,这个商场也是被日本及美国公司独占,TOP5厂商占了全球85%的比例。

国产光刻胶此前只能用于低端工艺出产线中,能做到G线(436nm)、I线 (365nm)水平,现在首要在用的ArF光刻胶仍是靠进口,EUV光刻胶现在还没有公司能出产,大多数都控制在日本公司手中。

不过EUV光刻胶也不是急需的,由于国内现在还没有EUV工艺量产,193nm的ArF光刻胶愈加重要,现在国内有多家公司正在攻关中,这种光刻胶能够用于28nm到7nm工艺的先进工艺。

今日,南大光电在互动渠道表明,公司的ArF光刻胶正在按方案进行客户测验,这在某种程度上预示着国内的ArF光刻胶技能取得了重要打破,从研制开端走向出产。

依据南大光电公司之前的 音讯,公司于2017年开端研制“193nm光刻胶项目”,已取得国家“02专项”的相关项目立项,公司方案经过3年的建造、投产及完成出售,到达年产25吨193nm(ArF干式和浸没式)光刻胶产品的出产规模,产品将满意集成电路职业需求规范。

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